TLE4966G,霍尔传感器英飞凌优势现货供应商,只做原装
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面议
IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性:
极低的RDS(开启)
出色的栅极电荷 x RDS(开启)(FOM)
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比,可靠性更高
无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC070N10NS3G
IRLR024NTRPBF
IRLR3410TRPBF
IRFR120NTRPBF
IRFR5410TRPBF
IRFR220NTRPBF
IRFR7440TRPBF
BSS308PEH6327
IRFR1205TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF9310TRPBF
BSS138NH6327
IRF7351TRPBF
BSC093N15NS5
BSS316NH6327
常用型号大量原装现货,更多型号请咨询,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
静电保护_浪涌电压保护:当今的消费电子设备中,静电保护(ESD)对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS(瞬变电压抑制)二极管,以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列,力求在超小型封装内,以竞争力的价格提供的保护性能,同时质量水平高,性能稳健。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IAUA200N04S5N010
IPW60R037P7XKSA1
BSZ019N03LSATMA1
IPP60R360P7XKSA1
IPB320P10LMATMA1
IPD60R180C7ATMA1
IPP076N15N5AKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPD80R4K5P7ATMA1
IPU80R4K5P7AKMA1
BSL606SNH6327XTSA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
BSC520N15NS3GATMA1
IMW120R020M1HXKSA1
IPD30N10S3L34ATMA1
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速!
英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品,专为汽车申请,符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子,其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面,主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压(V一般事务人员) 导通(与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压)。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术,通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IRFS4227TRLPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR9120NTRPBF
IPG20N06S4L-26
IRFR4620TRLPBF
IRFML8244TRPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLML6302TRPBF
IRLML0040TRPBF
IRLML2030TRPBF
IRFR5305TRLPBF
IRLR2905ZTRPBF
IRFZ44NSTRLPBF
IRLR3110ZTRPBF
IRFS7537TRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货,欢迎咨询合作!手机同号。
英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑,包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度,而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中,英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能,而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC117N08NS5ATMA1
BSS123NH6433XTMA1
BSC040N10NS5ATMA1
BSZ040N06LS5ATMA1
IPD70R900P7SAUMA1
BSS138NH6433XTMA1
BSS123NH6327XTSA1
IPP040N06N3GXKSA1
IPD60R360P7SAUMA1
IPB200N25N3GATMA1
BSD223PH6327XTSA1
BSZ063N04LS6ATMA1
BSS192PH6327FTSA1
BSC110N15NS5ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1
英飞凌大量原装现货,让您合作无忧。
汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合,我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始,到 10mm x 15mm 的尺寸,您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外,新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装,以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm,完善了满足这些特殊要求的产品组合,分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
Infineon英飞凌全系例型号大全(部分):
IKW50N60H3
IKD06N60RF
IKW20N60H3
IHW40N65R5
IGW50N65H5
IGB20N60H3
IGP20N60H3
IKW40N120T2
IKW40N120H3
IKW75N65EH5
IKW75N65ES5
IHW30N160R5
IHW20N120R5
IKW25N120H3
FF300R12KT4
原装承诺,合作共赢!
IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻(RDS(开启)*一)
输出电容中的能量存储非常低(E开放源码软件) @400V
低栅极电荷(Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点:
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用
Infineon英飞凌全系例型号大全(部分):
ICE3PCS03GXUMA1
ICE2QR2280G
ICE2QR2280Z
BSP76E6433
TLE6251DS
TLE9251VSJ
TLE6250GV33XUMA1
TLE6250G
TLS4120D0EPV33XUMA1
TDA21472
TLE8366EV50XUMA1
IR3897MTRPBF
XDPS2201XUMA1
ESD108B1CSP0201XTSA1
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1
ESD103-B1-02ELE6327
ESD105-B1-02ELE6327
ESD101B102ELSE6327XTSA1
ESD128B1W0201E6327XTSA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货,欢迎商务联系合作!