TPS22990DMLR，TI原装集成电路

CC2640F128RGZR蓝牙微控制器MCU
具有 128kB 闪存的 SimpleLink™ 32 位 Arm Cortex-M3 低功耗 Bluetooth® 无线 MCU
CC2640 的特性
强大的 ARM Cortex-M3
EEMBC CoreMark评分：142
高达 48MHz 的时钟速度
128KB 系统内可编程闪存
ROM 中的 TI-RTOS 和 蓝牙软件
高达 28KB 系统 SRAM，其中 20KB 为低泄漏静态随机存取存储器 (SRAM)
8KB SRAM，适用于缓存或系统 RAM 使用
2 引脚 cJTAG 和 JTAG 调试
支持无线升级 (OTA)
TI德州仪器其他部分蓝牙产品型号：
CC2640F128RGZR CC2640F128RHBR
CC2650F128RHBR CC2650F128RGZR
CC2650F128RSMR CC2630F128RGZR
CC2652R1FRGZR CC2640R2FRSMR
CC2650F128RHBT CC2630F128RHBR
CC2640R2FYFVT CC2640F128RSMR
CC2640R2FRGZR CC2640R2LRGZR
CC2630F128RGZT CC2640R2FTRGZRQ1

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

主营产品：MCU单片机、存储芯片、晶振谐振器、滤波双工器、传感器、射频芯片、电源管理芯片、音频功放、驱动芯片、接口芯片、蓝牙芯片、安防监控芯片、WIFI芯片、汽车芯片。
DS90UB927QSQX/NOPB
具有双向控制通道的 5MHz - 85MHz 24 位彩色 FPD-Link III 串行器
DS90UB927Q-Q1 的特性
双向控制通道接口，可连接到 I2C 兼容串行控制总线
低电磁干扰 (EMI) FPD-Link 视频输入
支持高清 (720p) 数字视频格式
支持 5MHz 至 85MHz 像素时钟 (PCLK)
支持 RGB888 + VS、HS、DE 和 I2S 音频
多达 4 个针对环绕立体声应用的 I2S 数字音频输入
4 条具有 2 个引脚的双向通用输入输出 (GPIO) 通道
通过 1.8V 或 3.3V 兼容 LVCMOS I/O 接口实现 3.3V 单电源运行
长达 10 米的交流耦合屏蔽双绞线 (STP) 互连
具有嵌入式时钟的直流均衡和扰频数据