MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率能耗
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- 更新：2024-11-16
- 地区：陕西西安
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MGF4964BL-01低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。
MGF4964BL-01包装信息
磁带和卷轴 4000 个/卷轴
通过无铅认证
MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。
低噪声放大器的设计目标是将噪声功率降到小，以提高信号与噪声之间的信噪比。为了实现这一目标，低噪声放大器通常会采取以下措施：