高导热烧结银SHAREX烧结银膏车规芯片烧结银
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基于以上两款焊料的不足,有压烧结银AS9385应运而生,烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题,具有导热系数高,剪切强度大,生产,无铅化、免清洗等特点,是第三代半导体封装的理想焊接材料。
经过第三方的测试,善仁新材新推出的有压烧结银AS9385的剪切强度达到93.277MPa,剪切强度大大超过目前市面上主流的有压烧结银的剪切强度,
大家可能对93.277MPa没有概念,作为对比,目前市面上的德国某品牌的有压烧结银剪切强度为68MPa,美国某品牌的有压烧结银剪切强度为67MPa。
银烧结技术具有方面的成本效益,包括高吞吐量、低成本、高良率和低人工成本等。时至今日,已经有不少厂商提供采用银烧结技术制造的功率模块,
现有的银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上,生产效率较低;加压烧结银AS9385整个烧结过程可以缩短到20分钟。
现有的银烧结技术得到的连接层,其内部空洞一般在微米或者亚微米级别,善仁新材的烧结银无论是有压烧结银还是无压烧结银都没有空洞。