国产烧结银善仁烧结银高可靠烧结银

基于以上两款焊料的不足，有压烧结银AS9385应运而生，烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题，具有导热系数高，剪切强度大，生产，无铅化、免清洗等特点，是第三代半导体封装的理想焊接材料。

现有的银烧结技术得到的连接层，其内部空洞一般在微米或者亚微米级别，善仁新材的烧结银无论是有压烧结银还是无压烧结银都没有空洞。

随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）越来越多的应用在更加高温、高压和高频的环境，相应的封装材料和结构，尤其是芯片-基板的互连，在导热、导电和可靠性方面提出了更为严苛的要求。