江苏常州低温无压纳米烧结银

提率：善仁新材的这一无压低温技术提高了生产效率，从传统银烧结技术每小时只能生产约30个产品上升至现在的每小时3000个。现在，凭借这一新的银烧结材料，第三代半导体封装得以实现高产能，高可靠性的产品。

善仁新材相继开发出来180度无压烧结银，170度无压烧结银，160度无压烧结银，不停的挑战无压烧结银的烧结温度，从相关资料报道和机构认证，善仁新材新开发的AS9316纳米银膏，烧结温度只有160度，了烧结低温的先河。

以上连接工艺均在传统真空回流炉中完成。相比传统Si基功率封装模块，这种采用AS9330银烧结的SiC功率模块的热阻降低了40%，体积减小50%。由于烧结过程大面积基板的翘曲问题，SiC 基器件的源区焊接面并没有使用银烧结，考虑到器件源区连接界面接近SiC器件的结温，该界面处可能更容易发生失效，所以采用对低压辅助烧结或借助适当治具有助于增加该界面的稳定性，进而实现一次全银烧结。