浙江ZEISS电子显微镜市场

Inlens 探测器均放置 在镜筒内正光轴上， 在减少重新校准耗时 的同时有效地缩短了获取图像的时间。 Gemini 电子束推进器技术可以在非常 低的加速电压下仍获得小束斑和高信噪比。
此外， 它确保了电子束在镜筒中运动时始 终保持高加速电压， 直至出镜筒后才减速 至设定电压， 更大程度地减小外部杂散磁 场对系统灵敏度的影响。GeminiSEM 360 、 GeminiSEM 460 和 GeminiSEM 560 三 者 均 应用了 Gemini 设计、 Inlens 探测器和电子 束推进器技术。

充分发挥 Gemini 2 型光学系统的性能优势
GeminiSEM 460 的 特 殊 之 处 在 于 配 备 的 Gemini 2 型光学系统主要运用了双聚光镜， 在获得理想的小电子束斑同时可连续调节束 流。这使高电子束能量密度下的低束流高分 辨率成像和高束流分析得到了。此外， 您也可以在不同的成像模式之间进行无缝切 换或更改成像参数。此操作简便快速，因为 在更改成像参数后无需进行校准，而且经调 校的扫描电镜可以保持稳定地工作。

Nano-twin 物镜
Nano-twin 物镜是一种在低加速电压条件下 工作的电镜( EM ) 物镜。通过优化几何结 构和静电场及磁场分布， 获得出色的信号 探测效率， 从而可以在低电压下达到亚纳 米级分辨率。具体来说， 与标准的 Gemini 物镜相比，它在低电压下的像差降低了 3 倍。这使得样品上的磁场降低了 3 倍， 约 为 1mT ，并能够进行 1kV 以下亚纳米成像， 而无需将样品浸没在电磁场中。

全套探测系统： 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子
GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒，并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。

大部分的背 散射电子能够穿过 Inlens SE 探测器，并被 EsB 探测器收集。此外， Inlens EsB 探测器 还可有选择地收集不同能量的背散射电子。 如果出射角大于 15 度， 则 BSE 无法进入镜 筒，但会被 AsB (角度选择背散射) 或可 抽插式 aBSD 探测器探测到。aBSD 探测器 能够提供样品的成分衬度、形貌和 3D 表面 信息。样品室背散射电子探测器( BSD )和 扫描透射电子探测器可以在低加速电压下 拥有更率，且能实现超速成像。

专为日常检测和分析应用而设计，蔡司 EVO 拥有的操作 设计理念，无论是经验丰富的显微技术人员还是不具备扫描 显微镜知识的工程师，均可轻松上手。它能够提供出色 的数据，特别适合于后续检测中无法涂覆导电层的非
导电零部件。