IRFR3410TRPBF，场效应管(MOSFET)原装供货

SPB80P06P-G描述：
P 沟道增强模式 场效应晶体管 （FET）， -60V， D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求，例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要：
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IPT007N06N
IRL540NPBF
IRF100B201
BF998E6327
SPW20N60C3
IRFZ34NPBF
IRF2807PBF
IRF200P222
IRF520NPBF
IRF200S234
IRF1404PBF
SPP20N60C3
IRF1405PBF
IRLZ34NPBF
IRF540ZPBF
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

汽车碳化硅 MOSFET
碳化硅 （SiC） MOSFET 为汽车应用提供率和可靠性。英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET，包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅 MOSFET 分立器件和碳化硅冷却碳化硅™ MOSFET 模块.
这些用于汽车行业的 SiC MOSFET 提供佳性能和高的运行可靠性，并在空间和重量类别方面节省成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IHW30N135R5
IKW30N65WR5
FF200R12KT4
IHW20N135R5
FF100R12KS4
IKW40N65ES5
FF150R12KS4
IKA15N65ET6
AUIRG4PH50S
FF450R12KT4
IKW50N65ET7
IKW50N65EH5
IKW40N120CS6
IRGP4066DPBF
IRGP4063DPBF
原装，诚信合作，欢迎合作！

IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻（RDS（开启）*一）
输出电容中的能量存储非常低（E开放源码软件） @400V
低栅极电荷（Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点：
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用
Infineon英飞凌全系例型号大全（部分）：
ICE3PCS03GXUMA1
ICE2QR2280G
ICE2QR2280Z
BSP76E6433
TLE6251DS
TLE9251VSJ
TLE6250GV33XUMA1
TLE6250G
TLS4120D0EPV33XUMA1
TDA21472
TLE8366EV50XUMA1
IR3897MTRPBF
XDPS2201XUMA1
ESD108B1CSP0201XTSA1
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1
ESD103-B1-02ELE6327
ESD105-B1-02ELE6327
ESD101B102ELSE6327XTSA1
ESD128B1W0201E6327XTSA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货，欢迎商务联系合作！