由于具备优于焊接材料的高导热性和低热阻，AlwayStone AS9331能提供更好的性能和可靠性。对于第三代半导体之类的大功率器件来说，烧结银AS9331具有传统解决方案所没有的优势。
以上连接工艺均在传统真空回流炉中完成。相比传统Si基功率封装模块，这种采用AS9330银烧结的SiC功率模块的热阻降低了40%，体积减小50%。由于烧结过程大面积基板的翘曲问题，SiC 基器件的源区焊接面并没有使用银烧结，考虑到器件源区连接界面接近SiC器件的结温，该界面处可能更容易发生失效，所以采用对低压辅助烧结或借助适当治具有助于增加该界面的稳定性，进而实现一次全银烧结。
二 双面冷却 SiC 功率模块的制造工艺
1印刷银焊膏
2贴片
3烧结银焊膏
4引线键合
5端子焊接
6放置焊片
7真空回流焊接
8塑封