广州出售氮化镓二极管现货供应

氮化镓是一种直接带隙宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.4eV。GaN材料化学件质稳定,在室温下不溶于水、酸、碱;质地带硬,熔点非常高(250(rC)。GaN材料制作的蓝光、绿光LED以及激光二极管(Laser Diode, LD)早已实现了产业化生产,以其体积小、寿命长、亮度高、能耗小等优点,有望取代传统白识灯、日光灯等成为主要照明光源。

GaN材料中的位错不会显著降低其光学和电学性能。GaN蓝光LED普遍使用的衬底材料是蓝宝石，虽然衬底与GaN外延层之间存在的晶格失配和热失配。若用GaN做成其它器件，如激光器二极管或是大面积、大功率器件，如此高的位错密度就对此类器件非常有害的。另外，虽然蓝宝石能进行多种加工，但其固有的性质会影响到外延材料的性质。GaN异质外延，其质量受衬底的影响很大，衬底材料的选择，一般认为晶格匹配是决定性因素。科研工作者对大量的材料进行过GaN生长，包括绝缘的金属氧化物、金属、金属氮化物和其它的半导体材料。除了晶格常数以外，材料的晶体结构、表面性、组成、稳定性、化学性能和电学性能也是决定其是否能做衬底的重要因素，因为它们会严重影响外延层的性能。GaN的晶体方向、极性、表面形貌、应力和缺陷浓度由所采用的衬底决定，也就是衬底的性能会终决定器件的性能。

高可靠性：功率器件的寿命与其温度密切相关，结温越高，寿命越低。 GaN材料具有高温结和高导热率的特点，大大提高了器件在不同温度下的适应性和可靠性。