NGTB40N120FL2WG，IGBT模块ON进口原装供货

FSUSB42MUX
FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关 （DPDT） 开关，针对在两个高速 （480Mbps） 源或高速和全速 （12Mbps） 源之间切换进行了优化。该FSUSB42兼容 USB2.0 的要求，并具有极低的导通电容 （C上）为5.5pF。该器件的宽带宽（720MHz）超过了通过三次谐波所需的带宽，从而使信号具有小的边沿和相位失真。出色的通道间串扰也大限度地减少了干扰。该FSUSB42在开关 I/O 引脚上包含特殊电路，用于 V抄送电源断电（V抄送=0），允许器件承受过压条件。该器件旨在将电流消耗降至低，即使施加到 SEL 引脚的控制电压低于电源电压 （V抄送).此功能对于超便携应用（如手机）特别有价值，允许与基带处理器的通用 I/O 直接连接。其他应用包括便携式手机、PDA、数码相机、打印机和笔记本电脑中的开关和连接器共享。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVH4L080N120SC1
NVH4L160N120SC1
NTH4L075N065SC1
NTH4L060N065SC1
NTH4L040N120M3S
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UC2842BD1R2G
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC-DC转换器应用而设计，为设计人员提供了具有极少外部元件的高性价比解决方案。这些集成电路具有用于占空比控制的微调振荡器、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器和非常适合驱动功率 MOSFET 的高电流图腾柱输出。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FDB075N15A-F085
FDP085N10A-F102
FDI045N10A-F102
FDP020N06B-F102
FDP075N15A-F102
FDP027N08B-F102
FDP023N08B-F102
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NTHL027N65S3HF功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®

功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新的高压超结 （SJ） MOSFET 系列，该系列采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种的技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适合各种小型化和更率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
CAT811TTBI-GT3
CAT811 和 CAT812 是微处理器监控电路，用于监控数字系统中的电源。CAT811 和 CAT812 是 MAX811 和 MAX812 的直接替代产品，工作在工业温度范围内;两者都具有手动复位输入。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV8177BMX330TCG
LP2950CDT-5.0RKG
MC100EL1648DTR2G
LM2575D2T-ADJR4G
LM2575D2T-ADJR4G
NCV891930MW01R2G
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NCP4318BLCDR2G：
NCP4318是一种混合模式，它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息，用于LLC谐振转换器的同步整流（SR）控制器，只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压，以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流，并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外，为了提高轻载效率，VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
ISL9V5036P3-F085
AFGY160T65SPD-B4
FGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155
FGH75T65SHD-F155
FGH75T65SHD-F155
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MC7905CTG系列简述：
MC7900 固定输出负线性稳压器旨在作为广受欢迎的 MC7800 系列器件的补充。该负电压稳压器提供与 MC7800 器件相同的七种电压选项。此外，负极 MC7900 系列还提供 MECL 系统中常用的一个额外电压选项。
这些线性稳压器提供 -5.0 V 至 -24 V 的固定输出电压选项，采用电流限制、热关断和安全区域补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。通过足够的散热，它们可以提供超过 1.0 A 的输出电流。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTMTS0D7N06CLTXG
NVMFS5C404NAFT1G
NVMFS6H801NWFT1G
NTMFS4D2N10MDT1G
NVMFS5C420NWFT1G
NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS006N12MCT1G
NVMFS6H800NWFT1G
NXH35C120L2C2S1G
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MOC3041SR2M概述：
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成，该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅，用于由 115VAC 线路供电的设备，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NB100LVEP221MNRG
M74VHC1GT126DF1G
MC100LVEP05MNTXG
FCH029N65S3-F155
NTTFS2D1N04HLTWG
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NTMFS6H818NT1G单N沟道功率MOSFET，80V，123A，3.7mΩ
汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装，专为紧凑、的设计而设计，并具有高热性能。
NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
MT9J003I12STMU-DP
MT9P006I12STCU-DR
AR0140CS2C00SUEA0
AR0833CS3C12SUAA0
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CAT4104V-GT3简述：
CAT4104 提供四个匹配的低漏汲电流，可驱动串联的高亮度 LED，每个沟道可高达 175 mA。LED 沟道电流通过联接 RSET 引脚的外部电阻器进行设置。LED 引脚可兼容高 25 V 的高电压，支持带有多个 LED 串联的应用。EN/PWM 逻辑输入支持器件启用和高频外部脉宽调制 (PWM) 调光控制。该器件结合了高温关断保护，可在片温度超过 150°C 时禁用 LED 输出。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
AR0230CSSC12SUEA0-DR
AR1820HSSC00SHEA0-DR
AR0237CSSC12SPRA0-DR
AR0237CSSC12SHRA0-DR
FCPF250N65S3R0L-F154
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NCP1399ACDR2G
NCP1399是一款用于半桥谐振转换器的电流模式控制器。这款控制器实施了600V栅极驱动器，简化了布局，减少了所需的外部组件数量。内置的欠电压输入功能简化了控制器在所有应用中的实现。在需要PFC前级的应用中，NCP1399具有一个输出来驱动PFC控制器。这个功能结合的Skip模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、防止硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动死区时间调节、过电压（OVP）和过温（OTP）保护。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
MC74LVXT8051DR2G
NB7NPQ1002MMTTWG
NCP1253BSN100T1G
NCP3335AMN280R2G
NCP380LSNAJAAT1G
NCP45520IMNTWG-L
NCP716BCSN330T1G
NCP716BCSN500T1G
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