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W25Q16CVIG,WINBOND/华邦存储芯片

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W968D6DAGX7I
256M位CellularRAM™兼容产品,组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
密度:256兆字节
Vcc: 1.8V/1.8V
频率:大时钟频率 133 MHz
封装:54VFBGA 温度范围:工业-40C~85C
功能列表:支持异步和突发操作, 随机存取时间:70ns,突发模式
读写访问:4、8、16 或 32 字,
或连续突发, 突发换行或顺序, tACLK:133 MHz 时为 5.5ns,104 MHz 时为 7ns,
低功耗特性:TCR、PAR、DPD
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25M512JVEIQ W25P16VSSIG
W25M512JVEJQ W25P20VSNIG
W25M512JVFIQ W25P240AF-6
W25N01GVZEIG W25P243AF-4A
W25N01GVZEIGTR W25P40VSNIG
W25N01GVZEIR W25Q1218BVFG
W25N01GVZEJG W25Q128BVEG
W25N01GWZEIG W25Q128BVEIG
W25N02JWZEIF W25Q128BVEIM
W25N02KVZEIR W25Q128BVFG
W25N02KVZEIRT W25Q128BVFIG
W25N512GWEKR W25Q128FVBIP
W25P16VSIG W25Q128FVEG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W25Q256JV特性:
SpiFlash 存储器系列 – W25Q256JV:256M 位 / 32M 字节 – 标准 SPI: CLK, /CS, DI, DO – 双 SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, – 四通道 SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3 – 3 或 4 字节寻址模式 – 软件和硬件复位(1)  串行闪存 – 133MHz 标准/双通道/四通道 SPI 时钟 – 相当于 266/532MHz 双通道/四通道 SPI – 66MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留 的“连续读取” – 四通道外设接口 – 允许真正的 XIP(就地执行)操作 – 优于 X16 并行闪存  低功耗、宽温度范围 – 2.7 至 3.6V 单电源 –<1μA 关断(典型值) – -40°C 至 +85°C 工作范围 – -40°C 至 +105°C 工作范围
华邦其他型号:
W25Q128FVEIG W25Q128FWFIG
W25Q128FVFG W25Q128FWFIQ
W25Q128FVFIG W25Q128FWPF
W25Q128FVIQ W25Q128FWPG
W25Q128FVPIG W25Q128FWPIF
W25Q128FVPIQ W25Q128FWPIG
W25Q128FVPQ W25Q128FWPIM
W25Q128FVSAQ W25Q128FWPM
W25Q128FVSIG W25Q128FWSBQ
W25Q128FVSIQ W25Q128FWSIF
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多信息咨询我们的销售人员。

W25Q32JV系列:
W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVZEIQ
W25Q32JVSSIM
W25Q32JVSSAQ
W25Q32JVZEIQ
产品特性:
具有 4KB 扇区的灵活架构 – 统一扇区/块擦除(4K/32K/64K 字节) – 每个可编程页编程 1 至 256 字节 – 擦除/程序暂停和恢复  安全功能 – 软件和硬件写保护 – 特殊 OTP 保护(2) – 顶部/底部,补码阵列保护 – 单个块/扇区阵列保护 – 每个设备的 64 位 ID – 可发现参数 (SFDP) 寄存器 – 3X256 字节安全寄存器 – 易失性和非易失性状态 寄存器位  节省空间的封装 – 8 引脚 SOIC/VSOP 150/208 密耳 – 16 针 SOIC 300 密耳 – 8 焊盘 WSON 6x5 毫米/8x6 毫米 – 8 焊盘 USON 4x3 毫米 – 8 焊盘 XSON 4x4 毫米 – 24 引脚 TFBGA 8x6 毫米(6x4/5x5 球阵列)
主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系

W25Q16F系列:
W25Q16FWUXIE
W25Q16FWBYIG
W25Q16FWSSIQ
W25Q16FWUUIQ
W25Q16FWSNIQ
W25Q16FWZPIQ
W25Q16FWSNIG
W25Q16FWSSIG
W25Q16FWSVIQ
W25Q16FWBIYG
产品特性:
W25Q16FW(16M 位)串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。
该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电,电流消耗低至 4mA 有效,关断电流低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
串行闪存 – 104MHz 单通道、双通道/四通道 SPI 时钟 – 等效于 208/416MHz 双通道/四通道 SPI – 50MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留
W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式,相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。W25Q系列是25X系列的进阶版,可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能,操作频率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S传输率),相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。W25Q系列不但效能超过Parallel flash,还提供更少脚位的封装。
更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行(XIP, eXecute In Place),或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外,部份SpiFlash支援QPI (Quad Peripheral Interface)让指令集可更快的传输,加快XIP的传输效率。另外更小的封装, 更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。®
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q16DVZPIG W25Q16FWSSIQ
W25Q16DVZPIQ W25Q16FWSVIQ
W25Q16DWBYIG W25Q16FWUUAQ
W25Q16DWSNAG W25Q16FWUUIQ
W25Q16DWSSIG W25Q16FWUXIE
W25Q16DWUUIG W25Q16FWZPIQ
W25Q16DWYS06 W25Q16JLSNIG
W25Q16DWZPIG W25Q16JVBYIQ
W25Q16FWBYIG W25Q16JVNIQ
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W9825G6JB系列型号:
W9825G6JB-6
W9825G6JB-6I
W9825G6JB-75一般描述:
W9825G6JB汽车级是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为4M字4组16位。该器件提供高达每秒 166M 字的数据带宽。W9825G6JB分为以下速度等级:-6,-6I和-75。-6 级符合 166MHz/CL3 或 133MHz/CL2 规范。-6I 工业级符合 166MHz/CL3 规范,支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C。 -75 级符合 133MHz/CL3 规范。
特点:
3.3V ± 0.3V 电源 
高达 166 MHz 的时钟频率 
4,194,304 字  4 库  16 位组织 
自刷新模式:标准和低功耗  CAS 延迟:2 和 3 
突发长度:1、2、4、8 和整页 
突发读取,单次写入模式  字节数据由LDQM控制, UDQM 
掉电模式  自动预充电和受控预充电  8K 刷新周期/64 mS 
接口:LVTTL  采用 TFBGA 54 球 (8x8 mm2) 封装,
使用符合 RoHS 标准的无铅材料
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q16JVSAQ W25Q16JVUXIQ
W25Q16JVSIQ W25Q16JVZPIM
W25Q16JVSNIM W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVSNIQ W25Q16JVZPIQ-TR
W25Q16JVSNIQT W25Q16JWSNIM
W25Q16JVSSIQ W25Q16JWSNIQ
W25Q16JVSSIQT W25Q16JWSSIQ
W25Q16JVSSIQTR W25Q16JWXHIQ
W25Q16JVSSIQ-TR W25Q16VSSIG
W25Q16JVUUIQ W25Q20BWZPIG
W25Q16JVUXIM W25Q20CLSNIG
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W29N02KV系列产品:
W29N02KVSIAF
W29N02KVBIAF
一般描述 W29N02KV(2G 位)NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据(如语音、视频、文本和照片)的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电,3V 时有功电流消耗低至 25mA,CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 285,212,672 字节,并组织成 2,048 个 139,264 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成,每个页面 2,176 字节。每个页面由 2,048 字节用于主数据存储和 128 字节用于备用数据区域组成(备用区域通常用于错误管理功能)。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q256JWFQ W25Q32FVAIQ
W25Q32BVAIG W25Q32FVCIP
W25Q32BVFIG W25Q32FVDAIQ
W25Q32BVIG W25Q32FVFIG
W25Q32BVS1G W25Q32FVIG
W25Q32BVSIG W25Q32FVSFIG
W25Q32BVSSAG W25Q32FVSIG
W25Q32BVSSIG W25Q32FVSIQ
W25Q32BVZPIG W25Q32FVSSIG
W25Q32DWSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q32DWZPIG W25Q32FVTBIP
主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。

下一条:GD32F307RGT6,微处理器芯片
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主营:MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片
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