闵行生产善仁SiC碳化硅烧结银膏服务周到

近年来以善仁新材开发的纳米烧结银技术为代表的低温连接技术是目前功率器件朝耐高温、高可靠性应用发展的主要趋势，其基本原理是利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连。

③烧结完成后形成SiC-Cu基板纳米烧结银互连层。可以看到，善仁新材的纳米银烧结互连层是碳化硅功率器件封装的关键结构单元，属于薄层结构，其厚度范围一般为20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通过镀银、金等烧结工艺提升其互连层的连接强度。

随着全球无铅化的推进，善仁新材的纳米烧结银时替代焊锡膏作为连接材料的候选材料之一，特别是在混动和电动汽车，高铁，航空航天，太阳能，深井石油开采等需要在200度恶劣环境下的各种工作应用，必将成为主流的互连材料之一。