无锡供应半导体器件低温烧结银,烧结银膏

近年来，对于小型化、高功能化的电子零器件(例如功率器件或大功率发光二极管(LED))的需求扩大。功率器件作为可抑制电力损耗并率地转换电力的半导体元件，在电动汽车、快速充电器等领域中普及发展。

烧结中期是从孔洞（pores）达到平衡形态（equilibrium shapes）开始的，这一阶段主要是致密化，与终产物密度的相关性达到97%，因此是烧结过程的主要阶段。

烧结银AS9375在氮气氛围下230-250℃、1小时的剪切强度为20 MPa以上，空气条件下230-250℃、1小时的剪切强度则为45 MPa以上，而在空气条件下200℃、1小时的接合强度是40 MPa以上。