无锡高性价比SiC碳化硅烧结银膏,碳化硅烧结银
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纳米烧结银做为SiC芯片封装的互连层研究总结
IGBT功率器件被广泛用于新能源电车、车载逆变器上,做主要的控制元器件,而以SiC为代表的第三代半导体材料所制成的功率器件能够承受500℃左右甚至更高的温度,比Si小近千倍的导通电阻,多20倍左右的开关频率等性。
近年来以善仁新材开发的纳米烧结银技术为代表的低温连接技术是目前功率器件朝耐高温、高可靠性应用发展的主要趋势,其基本原理是利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连。
随着无铅化的推进,善仁新材的纳米烧结银时替代焊锡膏作为连接材料的候选材料之一,特别是在混动和电动汽车,高铁,航空航天,太阳能,深井石油开采等需要在200度恶劣环境下的各种工作应用,必将成为主流的互连材料之一。