汕尾NAIGQ同轴衰减器厂家

构成同轴衰减器的基本材料是电阻性材料。通常的电阻是同轴衰减器的一种基本形式，由此形成的电阻衰减器网络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频/微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果是大功率衰减器，体积肯定要加大，关键就是散热设计。随着现代电子技术的发展，在许多场合要用到快速调整衰减器。这种衰减器通常有两种实现方式，一是半导体小功率快调衰减器，如PIN管或FET单片集成衰减器；二是开关控制的电阻衰减网络，开关可以是电子开关，也可以是射频继电器。

回波损耗就是衰减器的驻波比，要求衰减器两端的输入输出驻波比应尽可能小。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。设计衰减器时要考虑这一因素。

主要用途
1、控制功率电平：在微波超外差接收机中对本振输出功率进行控制，获得佳噪声系数和变频损耗，达到佳接收效果。在微波接收机中，实现自动增益控制，改善动态范围。
2、去耦元件：作为振荡器与负载之间的去耦合元件。
3、相对标准：作为比较功率电平的相对标准。
4、用于雷达抗干扰中的跳变衰减器：是一种衰减量能突变的可变衰减器，平时不引入衰减，遇到外界干扰时，突然加大衰减。
从微波网络观点看，同轴衰减器是一个二端口有耗微波网络。它属于通过型微波元件。

当输入功率从10mW变化到额定功率时，衰减量的变化系数表示为dB/（dB*W）。衰减量的变化值的具体算法是将系数乘以总衰减量功率（W）。如：一个功率容量50W，标称衰减量为40dB的衰减器的功率系数为0.001dB/（dB*W），意味着输入功率从10mW加到50W时，其衰减量会变化0.001*40*50=2dB之多！
这种衰减器利用光在金属薄膜表面的反射光强与薄膜厚度有关的原理制成。如果玻璃衬底上蒸镀的金属薄膜的厚度固定，就制成固定光衰减器。如果在光纤中斜向插入蒸镀有不同厚度的一系列圆盘型金属薄腊的玻璃衬底，使光路中插入不同厚度的金属薄膜，就能改变反射光的强度，即可得到不同的衰减量，制成可变衰减器。
注意事项
1、频响：即频率带宽，一般用兆赫兹（MHz）或吉赫兹（GHz）表示。通用的衰减器一般带宽为5GHz左右，高要到50GHz。
2、衰减范围与结构形式：
衰减范围指衰减比例，一般为3dB、10dB、14dB、20dB不等，高可达110dB。其衰减公式为：10lg(输入/输出)，例：10dB表征：输入∶输出=衰减倍数=10倍。
结构形式一般分两种形式：固定比例衰减器与步进比例可调衰减器。固定衰减器是指在一定频率范围固定比例倍数的衰减器。步进衰减器是以一定固定值（例1dB）等间隔可调比例倍数的衰减器，又分为手动步进衰减器和程控步进衰减器。
绝缘层（Dielectric）：绝缘层位于内导体和外导体之间，通常采用绝缘材料（如聚乙烯或聚四氟乙烯）制成，用于隔离内导体和外导体，防止信号泄漏。
衰减介质（Attenuation Medium）：衰减介质位于绝缘层内部，通常是一种特殊的材料（如碳粉、石墨等），它具有吸收和散射信号能量的特性，用于减小信号的功率。
NAIGQ同轴衰减器可能是一种特定品牌或型号的同轴衰减器，但由于“NAIGQ”并非一个广为人知的品牌名（在提供的参考信息中未提及此品牌），因此我将基于同轴衰减器的一般特性和参数来介绍它可能具备的特点。

同轴衰减器是一种能量损耗性射频/微波元件，主要用于减少射频（RF）信号传输系统中的信号功率水平。这种装置对于通信系统、雷达、测试测量以及其他RF应用至关重要。其基本构造通常包括连接器、衰减芯片和散热器等部分，其中衰减芯片是核心组件，负责将部分信号能量转化为热能，从而实现信号强度的降低。
同轴衰减器还可以根据衰减量的可调性分为固定衰减器和可变衰减器。固定衰减器的衰减值恒定，适用于不需要频繁调整衰减量的场合；而可变衰减器则可以根据需要调整衰减量，适用于需要灵活性调节信号强度的场合。