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多画面全彩LED拼接图像处理器,单机多同时可支持16张不同分辨率的发射卡,单机高可以支持30720*1080 LED点阵。多台机器级联可以实现无限幅度的LED点阵实时动态显示。 可以任意配置发射卡进行LED点阵堆砌,可以自由选择灰度级数。可以任意设置单个LED发射卡的输出内容点阵。

采用LED光源进行照明,取代耗电的白炽灯,然后逐步向整个照明市场进军,将会节约大量的电能。近期,白色LED已达到单颗用电超过1瓦,光输出 25流明,也增大了它的实用性。

LED的价格比较昂贵,较之于白炽灯,一只LED的价格就可以与几只白炽灯的价格相当,而通常每组信号灯需由上300~500只二极管构成。

早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP,发红光(λp=650nm),在驱动电流为20 毫安时,光通量只有千分之几个流明,相应的发光效率约0.1流明/瓦。 70年代中期,引入元素In和N,使LED产生绿光(λp=555nm),黄光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。

表一列出了目前白色LED的种类及其发光原理。从表中也可以看出某些种类的白色LED光源离不开四种荧光粉:即三基色稀土红、绿、蓝粉和石榴石结构的黄色粉,在未来较被看好的是三波长光,即以无机紫外光晶片加R.G.B三颜色荧光粉,用于封装LED白光,预计三波长白光LED有商品化的机机会。但此处三基色荧光粉的粒度要求比较小,稳定性要求也高,具体应用方面还在探索之中。

近几年,白光LED的研发成果:2008年9月Philips Lumileds与Osram Opto Semiconductors各发表了140.1 lm/W与136 lm/W且各产生138 lm与155 lm(lumen,流明),他们均使用1mm大小的芯片并驱动于350mA下;美国LED大厂Cree公司宣布,其白光发光二极管实现每瓦161lm/W.可见,白光LED在高发光效率,高照明方面有着诱人的前景.

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