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无锡定制碳化硅肖特基二极管现货供应

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金属与半导体的功函数不同,电荷越过金属/半导体界面迁移,产生界面电场,半导体表面的能带发生弯曲,从而形成肖特基势垒,这就是肖特基接触。金属与半导体接触形成的整流特性有两种形式,一种是金属与 N 型半导体接触,且 N 型半导体的功函数小于金属的功函数;另一种是金属与 P 型半导体接触,且 P 型半导体的功函数大于金属的功函数。

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快,能够有效降低产品成本、体积及重量。

肖特基二极管是用于功率整流器应用的佳半导体器件,因为这些器件具有高电流密度和低正向电压降,与普通PN结器件的特性不同。这些优点有助于降低热量水平,减少设计中包含的散热器,并提高电子系统的整体效率。

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