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碳化硅烧结银替代美国烧结银碳化硅烧结银

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目前,银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术,美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。

烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%,热传导率提升5倍,国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术,银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.

连接温度和辅助压力均有明显下降,扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术中,为了防止氧化和提高氧化层的可靠性,

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