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晶圆随着芯片技术升级和降低成本需要而不断发展。在降低成本方面,通过不断变大晶圆尺寸以容纳更多电路和减少废弃比例就是晶圆的历史发展趋势。从1970年代至今,晶圆尺寸已经由过去的100mm(4英寸)发展至当前的300mm(12英寸)。根据IC Insight统计,2016年晶圆出货量为10738百万平方英寸,其中300mm晶圆占晶圆产能的63.6%,预计到2021年,将有123家12英寸晶圆厂,产能占比将达到71.2%。由于目前18英寸晶圆技术尚未成熟,且成本高昂,需求不足,未来几年内300mm(12英寸)晶圆仍将是主流技术路线

由于激光在聚焦上的优点,聚焦点可小到亚微米数量级,从而对晶圆的微处理更具有优势,可以进行小部件的加工。即使在不高的脉冲能量水平下,也能得到较高的能量密度,有效进行材料加工。激光划片属于非接触式加工,可以避免出现芯片破碎和其它损坏现象。

现有晶圆隔道通常采用裂片刀沿着切割线进行切开,使得容易造成芯片隔道交错区域边缘崩裂的同时产生的碎屑不好排出,并且现有的晶圆在裂片时,由于受到不同方向的力进行裂片,裂片效率较低,同时容易让芯片发生位移,从而产生划痕造成损伤。

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