高剪切强度烧结银膏宽禁带烧结银膏善仁加压烧结银膏

基于以上两款焊料的不足，有压烧结银AS9385应运而生，烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题，具有导热系数高，剪切强度大，生产，无铅化、免清洗等特点，是第三代半导体封装的理想焊接材料。

银烧结技术具有方面的成本效益，包括高吞吐量、低成本、高良率和低人工成本等。时至今日，已经有不少厂商提供采用银烧结技术制造的功率模块，

善仁新材的烧结银技术可以解决以下五个问题：
1 现有的烧结银的技术成本远焊膏，烧结银成本随着银颗粒尺寸的减小而增加；善仁新材自己研发的纳米银，可以降低烧结银的综合成本；

现有的基板铜层的贵金属镀层也增加了成本；散热新材开发的 AS9385有压纳米烧结银可以焊接裸铜，大大降低了客户的生产成本；

现有的银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上，生产效率较低；加压烧结银AS9385整个烧结过程可以缩短到20分钟。

现有的银烧结技术得到的连接层，其内部空洞一般在微米或者亚微米级别，善仁新材的烧结银无论是有压烧结银还是无压烧结银都没有空洞。