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设计与仿真编辑在直拉法生长硅单晶的过程中，硅单晶生长的成功与否以及质量的高低是由热场的温度分布决定的。温度分布合适的热场，不仅硅单晶生长顺利,而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理，生长硅单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资硅单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场,从而保生产出来的硅单晶的品质。在直拉硅单晶生长工艺中,一般采用温度梯度来描述热场的温度分布情况，其中在固液界面处的温度梯度为关键。数值模拟是在一个低成本的情况下,利用电脑计算提供的详尽资料，用以支持真正的（且昂贵）实验。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，具体实施方式为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，一种连续拉晶单晶炉，它包括括底座1、主炉室2、副炉室3、下驱动装置4和上驱动装置5，所述主炉室2和下驱动装置4均安装在底座1上，所述主炉室2内设置有炉室坩埚21，所述下驱动装置4和主炉室坩埚21相连，以便通过下驱动装置4驱动主炉室坩埚21升降，所述副炉室3和主炉室2相连通，所述上驱动装置5安装在副炉室3的上端，以便通过上驱动装置5驱动拉晶，其特征在于，它还包括：外部加料器6，所述外部加料器6内设置有加料腔61，所述加料腔61内设置有加料坩埚62，所述外部加料器6的盖装有上盖63；