FRED的优点之一是其快速的恢复时间。这是通过在设计过程中采用轻掺杂垒和多级抑制垒等技术来实现的。这些技术能够减小反向恢复电荷和恢复时间，从而降低开关损失和提高开关频率。这使得FRED非常适合用于高频电路、电力电子设备、换流器和逆变器等领域。
超快恢复二极管(SRD )是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点超快恢复二极管 SRD则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间已接近于肖 特基二极管的指标。它可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电 动机变频调速(V/VF)、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管.
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。
快恢复二极管，英文缩写为FRD，是一种具有快速恢复特性的二极管。相较于普通二极管，其反向恢复时间更短，能够适应高频和的工作环境。快恢复二极管的主要由两个PN结组成，同时加上定向的掺杂使得它的工作性质发生了改变，可以在高频连续反向偏置能下实现快速恢复。
快恢复二极管是由正向导通栏区和反向击穿栏区组成的双重 PN 结构。其工作原理主要可以概括为在正向偏置下，PN 结进入导通状态；在反向偏置下，PN 结处于截止状态。而在开关过程中，如果仅对快速的电压反转产生响应，就需要使快恢复二极管处于反向偏置，在这个过程中，快恢复二极管会从截止状态变成导通状态，从而完成反向电流的捕获，并且产生一个瞬态开放电容结构的载体与绝缘体之间的电荷，然后通过晶体管将这种载体导出，继续增强元器件的恢复速度。因此，快恢复二极管具有快速导通和快速恢复的特点。
当我们选择超快恢复二极管整流器时，总是会关注反向恢复时间trr（它代表从正向电流到反向电流所需的恢复时间）和Qrr（它代表正向电流到反向电流所需的恢复电荷，这两项指标是衡量高频整流器件性能的重要技术指标。
通过采用特的掺铂 (Pt) 工艺，超快恢复二极管系列产品可实现快几十nS的反向恢复时间，高反向电压可达一千多伏，额定电流也可以达到上百安，高工作结温为175℃。
高压整流二极管系列产品是由多个微型单元 PN 结芯片掺杂特殊金属采用工艺及嵌入式散热专利技术组合构成的高压整流器件，实现耐高电压和大电流的层状单元结构。
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。