有压烧结银替代德国烧结银碳化硅烧结银
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烧结银可以解决现有存在的五个难题
总所周知,不论是碳化硅模块还是硅IGBT,电力电子发展总体目标是提高功率(电流,电压)——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命,稳定性和可靠性——在降低失误率的同时简化控制和保护电路到后的降低成本。
而在电动车辆中,电力电子器件节省空间、重量轻、并且即使在恶劣的条件下也要工作可靠。为了满足这些要求,传统基于模块的封装方式已经不能适应下游市场发展的需要,
由于材料的热膨胀系数不同、高温波动和运行过程中的过度负载循环将导致焊料层疲劳,影响宽禁带半导体模块的可靠性。
目前,银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术,美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。
连接温度和辅助压力均有明显下降,扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术中,为了防止氧化和提高氧化层的可靠性,
在银烧结技术中,为了防止氧化和提高氧化层的可靠性,需要在基板裸铜表面先镀镍再镀金或镀银,同时烧结温度控制和压力控制也是影响功率模组质量的关键因素。