Gemini 物镜的设计结合了静电场与磁场， 在提升光学性能的同时将它们对样品的影 响降至低。因此，即便是要求苛刻的样 品 —— 如磁性材料，也能进行成像。 在 Gemini 镜筒设计理念中， Inlens 用二次 电子( SE ) 和背散射电子( BSE ) 探测器来 确保的信号检测。
充分发挥 Gemini 2 型光学系统的性能优势
GeminiSEM 460 的 特 殊 之 处 在 于 配 备 的 Gemini 2 型光学系统主要运用了双聚光镜， 在获得理想的小电子束斑同时可连续调节束 流。这使高电子束能量密度下的低束流高分 辨率成像和高束流分析得到了。此外， 您也可以在不同的成像模式之间进行无缝切 换或更改成像参数。此操作简便快速，因为 在更改成像参数后无需进行校准，而且经调 校的扫描电镜可以保持稳定地工作。
Gemini 3 型镜筒介绍
Gemini 3 型镜筒是专为表面灵敏成像领域 的苛刻任务而设计，它确保成像在 1 kV 至 30 kV 的所有工作条件下都能达到高分 辨率。它由两个协同工作的组件组成，即 Nano-twin 物镜和智能自动光路调节—— 它 们组成一个全新的电子光学引擎。 BSE 的优 势也可以为您提供良好的图像衬度，让您可 以从样品中提取出尽可能多的信息。
Nano-twin 物镜
Nano-twin 物镜是一种在低加速电压条件下 工作的电镜( EM ) 物镜。通过优化几何结 构和静电场及磁场分布， 获得出色的信号 探测效率， 从而可以在低电压下达到亚纳 米级分辨率。具体来说， 与标准的 Gemini 物镜相比，它在低电压下的像差降低了 3 倍。这使得样品上的磁场降低了 3 倍， 约 为 1mT ，并能够进行 1kV 以下亚纳米成像， 而无需将样品浸没在电磁场中。
• 通过 Nano-twin 物镜实现低电压下的优 化高分辨率
• 通过新的大视野概览模式实现样品导航和 高分辨率成像之间的无缝过渡
• 通过新的自动聚焦功能和新的快速镜筒对 中算法实现高速优化图像质量。
全套探测系统： 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子
GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒，并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。
背散射电子产生于样品表面之下，可提供 样品材质成分的衬度信息。背散射电子通 常以与入射电子束成 15 度角的圆锥状出 射， 被 Gemini 镜筒电子束推进器吸入后射 到镜筒内。由于二次电子( SE ) 与背散射 电子( BSE ) 具有不同的能量，它们会在电 子束推进器内产生不同轨迹。
大部分的背 散射电子能够穿过 Inlens SE 探测器，并被 EsB 探测器收集。此外， Inlens EsB 探测器 还可有选择地收集不同能量的背散射电子。 如果出射角大于 15 度， 则 BSE 无法进入镜 筒，但会被 AsB (角度选择背散射) 或可 抽插式 aBSD 探测器探测到。aBSD 探测器 能够提供样品的成分衬度、形貌和 3D 表面 信息。样品室背散射电子探测器( BSD )和 扫描透射电子探测器可以在低加速电压下 拥有更率，且能实现超速成像。
专为日常检测和分析应用而设计，蔡司 EVO 拥有的操作 设计理念，无论是经验丰富的显微技术人员还是不具备扫描 显微镜知识的工程师，均可轻松上手。它能够提供出色 的数据，特别适合于后续检测中无法涂覆导电层的非
导电零部件。