功率管发热
关于这个问题，也见到过有人在论坛发过贴。
功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。
要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。
这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。
对于前者，注意不要将负载电压设置的太高，虽然负载电压高，效率会高点。
对于后者，可以尝试以下几个方面：
a、将小电流设置的再小点；
b、布线干净点，特别是sense这个关键路径；
c、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感；
d、加RC低通滤波吧，这个影响有点不好，C的一致性不好，偏差有点大，不过对于照明来说应该够了。
无论如何降频没有好处，只有坏处，所以一定要解决。
开关次数的影响：多数电源设有电容器输入型的整流回路，在通入电源时，会产生浪涌电流，导致开关接点疲劳，引发接触电阻增大及吸附等问题。理论上认为，在电源期望寿命期间，开关的通断次数约有10000次。
