安徽氮化镓二极管多少钱一个

1999年初，Nichia公司开始商业化生产用InGaN制作的紫色激光器，其输出功率为5mw，发射波长为400nm，工作寿命超过10000小时。近他们又开发出了室温下连续工作功率达30mw的激光器，波长为405nm。DVD的光存储密度与半导体激光器的波长平方成反比，如果DVD使用GaN基短波长半导体激光器，则其光存储密度将比当前使用GaAs基半导体激光器的同类产品提高4－5倍，因此，宽禁带GaN半导体技术还将成为光存储和处理的主流技术。

氮化镓（GaN，gallium nitride）是一种具有半导体特性的化合物，其研究可追溯到上世纪九十年代。使用GaN制造的电子组件包括二极管，晶体管和放大器，它与硅（这也是此前我们听过的流行的一种半导体材料）属于同一元素周期族。GaN具有更宽的“带隙（band-gap）”，带隙本质上衡量的是能量通过材料的难易程度，因此与硅基电子产品相比具有许多优势。

让GaN在终端设备领域显得特别有前途的是5G无线电和电源技术以及超快速充电配件。在超快速充电配件中，明显的表现是，与传统的硅部件相比，GaN在较小的面积内具有更好的热效率和功率效率。