N沟道场效应管SPP11N65C3TO-220-3全新

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规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 380 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 60nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 125W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3-1
封装/外壳 TO-220-3


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