MX29LV160DBXBI-70G旺宏供货稳定

MX68GL1G0G
MXIC/旺宏优势现货供应商，常用型号大量现货，我们只做原装，欢迎咨询合作！
Vcc 2.7V-3.6V 访问时间（纳秒） 100
扇区类型 制服扇区 包 56-TSOP
总线宽度 x8， x16
功能列表 页面读取
VI/O 温度范围 工业级 （I）：-40°C 至 +85°C
部分型号：
MX68GL1G0FHT2I-11G
MX68GL1G0FHXFI-11G
MX68GL1G0FUXFI-12G
我们只做原装，欢迎咨询合作！

MX25R6435F：
Macronix 串行多 I/O （MXSMIO™） 闪存不仅提供单 I/O，还提供多 I/O 接口。MX66xxx35 或 MX25xxx33/35/39/73/75 系列提供双 I/O 或四 I/O 操作，可将消费类应用的系统读取性能提高一倍或四倍。
MXIC/旺宏部分型号：
MX25R8035FM1IH1 MX25R512FM1IL0
MX25R8035FM1IL0 MX25R6435FM2IH0
MX25R8035FM1IL0 MX25R6435FM2IL0
MX25R8035FM2IH0 MX25R6435FZAIH0
MX25R8035FM2IL0 MX25R6435FZAIL0
MX25R8035FZUIH1 MX25R6435FZNIL0
我们只做原装，欢迎咨询合作！

旺宏电子是全球少数能够提供从512Kbit 至 256Mbit 完整Serial Flash系列产品的公司，我们并拥有极小尺寸的Flash产品，可充分满足可携式电子产品日趋轻薄短小化的需求。在ROM唯读记忆体部份，我们已开始量产65奈米XtraROM®产品。旺宏电子也提供良裸晶粒(Known Good Die, KGD)产品，以供系统级封装(System In Package, SIP)的需求。

旺宏电子每年约投资营业额的10-12%于研发工作，历年发表的技术论文，持续入选IEDM及ISSCC等多项国际学术会议。旺宏电子目前拥有超过四千项国际关键技术及专利等智慧财产权，并与全球高科技业界领导厂商成立技术合作联盟，共同进行相变化记忆体技术的研究；另外，旺宏电子也发表全球首篇Flash前瞻技术之BE-SONOS™论文，皆是为了提供次世代非挥发性记忆体的解决方案。

旺宏电子目前拥有一座十二吋晶圆厂(晶圆五厂)、一座八吋晶圆厂(晶圆二厂)及一座六吋晶圆厂(晶圆一厂)，晶圆五厂及晶圆二厂主要生产制造旺宏自有非挥发性记忆体产品，晶圆一厂则以利基型逻辑产品的晶圆代工业务为主。

MX25L6406EM2I-12G NOR 闪存，标准串行接口，MX25xxx06 系列 串行 NOR 闪存，标准串行接口，MX25xxx06 系列 Macronix MX25xxx06 系列提供标准串行接口单或双输入/输出。 电源为 3 V 或 2.5 V 单工作电压。 可在 4 KB 扇区和 64 KB 块上执行程序/擦除命令。 ### 闪存，Macronix 串行 NOR 闪存，标准串行接口，MX25xxx06 系列 串行 NOR 闪存，标准串行接口，MX25xxx06 系列 Macronix MX25xxx06 系列提供标准串行接口单或双输入/输出。 电源为 3 V 或 2.5 V 单工作电压。 可在 4 KB 扇区和 64 KB 块上执行程序/擦除命令。 MX25L6406EM2I-12G MX29GL320EBTI-70G MX29GL320EBXEI-70G MX29GL320EHT2I-70G MX29GL320EHXFI-70G MX29GL320ELT2I-70G MX29GL320ELXFI-70G MX29GL320ETXEI-70G MX29GL512ELT2I-10Q MX29GL512FDT2I-12G MX29GL512FHT2I-10Q MX29GL512FHT2I-11G MX29GL512FHXFI-10Q MX29GL512FHXFI-11G MX29GL512FLT2I-10Q MX29GL512FLT2I-11G MX29GL512FLXFI-11G MX29GL512FUT2I-11G MX29GL640EBTI-70G MX29GL640EBXEI-70G MX29GL640EHT2I-70G MX29GL640ELT2I-70G MX29GL640ETTI-70G MX29GL640ETXEI-70G MX29GL640ETXEI-90G MXIC/旺宏常用型号大量现货，我们只做原装，欢迎咨询合作！