BSC014N04LSIN沟道场效应晶体管

深圳市星际金华现货供应BSC014N04LSI N沟道场效应晶体管 进口原装 价格实惠 库存大量货源 现货提供 实单可议价

产品规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 1.45 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 55nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 4000pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 2.5W（Ta），96W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8 FL
封装/外壳 8-PowerTDFN

公司还供应以下型号：
CLC005AJE
ISL95859AHRTZ
RTL8119I
V23079D2001B301
HTST-105-01-L-DV-P-TR
V120CH8T
BSC014N04LSI
LTC7821EUH
ACJ2112
LT1963EST-1.8
FF650R17IE4P
DM385AAAR01
CY7C65211-24LTXI
CC2510F8RSP
SI4190ADY
PFS712EG
PEX8734-AB80BI
CY7B991V-5JXIT
SJA1105EL
OPA4354AQPWRQ1
ADBF609WCBCZ502
BQ29700DSER
XC7Z020-2CLG400E
LT3582EUD
SI1142-A11
MSP430F6721IPNR

以上型号均为深圳市星际金华实业公司长期现货供应产品 网上标价持有不确定性 价格请以当天咨询问为准 有兴趣的商友 欢迎致电咨询。