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实时多通道并行图像处理,专利技术的全硬件架构,无运动拖尾和锯齿; 单机高可以支持30720*1080LED等效点阵,多机并联可以驱动无限幅度LED点阵; APSP技术,自定义图像输出的大小以及输出位置。 具有值机功能,即可以通过监视器时时观看LED大屏幕的状态(选配)。 帧同步技术,各输出图像间无错位和延迟; 多窗口控制叠加显示技术,实现任意信号的窗口叠加、漫游、缩放以及无缝切换; 针对LED显示领域的多种特殊显示驱动模式; 所见即所得软件操控界面,无需复杂的窗口预设操作; 16种不同模式场景预设; 预留LED发送卡槽位,系统高度集成; 高可靠性和稳定性,7天 / 24小时应用。 LED图像处理器,内部无操作系统支持,上电即可工作,稳定性高。 16种不同模式场景预设; 预留LED发送卡槽位,系统高度集成; 高可靠性和稳定性,7天 / 24小时应用。 LED图像处理器,内部无操作系统支持,上电即可工作,稳定性高。

50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,个商用二极管产生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。

LED的价格比较昂贵,较之于白炽灯,一只LED的价格就可以与几只白炽灯的价格相当,而通常每组信号灯需由上300~500只二极管构成。

90年代初,发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在红、橙区(λp=615nm)的光效达到100流明/瓦,而后者制成的LED在绿色区域(λp=530nm)的光效可以达到50流明/瓦。

GaN芯片发蓝光(λp=465nm,Wd=30nm),高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射,峰值550nm。蓝光 LED基片安装在碗形反射腔中,覆盖以混有YAG的树脂薄层,约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收,另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合,可以得到得白光。现在,对于InGaN/YAG白色LED,通过改变YAG 荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度,可以获得色温3500-10000K的各色白光。

近几年,白光LED的研发成果:2008年9月Philips Lumileds与Osram Opto Semiconductors各发表了140.1 lm/W与136 lm/W且各产生138 lm与155 lm(lumen,流明),他们均使用1mm大小的芯片并驱动于350mA下;美国LED大厂Cree公司宣布,其白光发光二极管实现每瓦161lm/W.可见,白光LED在高发光效率,高照明方面有着诱人的前景.

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