SN74LVC1G126DBVR，TI原装集成电路

TPA5052RSAR
具有硬件控制的立体声数字音频延迟处理器
TPA5052 的特性
Digital Audio Format: 16–24–bit I2S
Single Serial Input Port
Delay Time: 170 ms/ch at fs = 48 kHz
Delay Resolution: 256 samples
Delay Memory Cleared on Power–Up or After Delay Changes
Eliminates Erroneous Data From Being Output
TI德州仪器其他部分型号：
TPS79318DBVRG4Q1 TPS6285020MQDRLRQ1
SN74HCT165QPWRQ1 OPA4171AQPWRQ1
CDCE813QPWRQ1 LM3481QMMX/NOPB
LMK61A2-100M00SIAR TPS72501DCQ
TLV9154QPWRQ1 TPS78410QWDRBRQ1
OPA1642AIDGKT SN6507DGQR
TS3A225ERTER INA213BIDCKT
DRV5032DUDMRT LM4040C30QDBZR
INA250A4PW TLV2170IDR
ISO15MDW UCC27211DR

TI德州仪器逻辑 IC产品分类：
总线终端阵列
数字算术 IC
数字多路信号分离器和解码器
数字多路复用器和编码器
数字计时 IC
FIFO 内存 IC
单稳多谐振荡器（单稳态）
可编程逻辑电路
应用（包括汽车、工业和个人电子产品）
部分罗辑IC型号:
SN74HC541N SN74HC42DR
SN74HC540PWR SN74HC595PWR
SN74HC21QPWRQ1 SN74HC08DR
SN74HC126PWR SN74HCS14BQAR
SN74HCS14DR SN74HC4060PWR
SN74HCT373N SN74HC4851QDRQ1
SN74HC02DBR SN74HC04N
SN74HC27N SN74HCT244NSR
SN74HCT00D SN74HC563DWR
SN74HC14PWR SN74HC595N
SN74HC595DR SN74HC595DBR
SN74HC125DR SN74HC14QDRQ1
SN74HC273NSR SN74HC4851PWR
SN74HC244NSR SN74HC157DR
SN74HC373NSR SN74HC126PWT

部分产品特性：
SN74HCT541DWR
具有 TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的 8 通道、4.5V 至 5.5V 缓冲器
SN74HCT08DR
具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 与门

CC2640F128RGZR蓝牙微控制器MCU
具有 128kB 闪存的 SimpleLink™ 32 位 Arm Cortex-M3 低功耗 Bluetooth® 无线 MCU
CC2640 的特性
强大的 ARM Cortex-M3
EEMBC CoreMark评分：142
高达 48MHz 的时钟速度
128KB 系统内可编程闪存
ROM 中的 TI-RTOS 和 蓝牙软件
高达 28KB 系统 SRAM，其中 20KB 为低泄漏静态随机存取存储器 (SRAM)
8KB SRAM，适用于缓存或系统 RAM 使用
2 引脚 cJTAG 和 JTAG 调试
支持无线升级 (OTA)
TI德州仪器其他部分蓝牙产品型号：
CC2640F128RGZR CC2640F128RHBR
CC2650F128RHBR CC2650F128RGZR
CC2650F128RSMR CC2630F128RGZR
CC2652R1FRGZR CC2640R2FRSMR
CC2650F128RHBT CC2630F128RHBR
CC2640R2FYFVT CC2640F128RSMR
CC2640R2FRGZR CC2640R2LRGZR
CC2630F128RGZT CC2640R2FTRGZRQ1

TI德州仪器电池管理 IC电池保护器
部分型号主要参数特性：
BQ294534 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的 4.55V 过压保护 (OVP) 器件
BQ77207 3 系列至 7 系列锂离子电池、内部延迟计时器、电压和温度保护器
BQ2982 禁用 0V 充电功能且适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ77216 具有内部延迟计时器、适用于 3 节至 16 节串联锂离子电池的电压和温度保护器
BQ77915 具有电池自主平衡功能的 3 节至 5 节串联可堆叠低功耗初级保护器
BQ294506 适用于 2 到 3 节锂离子电池、具有 4.38V OVP 的过压保护器件
BQ2980 适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ294533 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的过压保护
BQ77904 3-4S 低功耗保护器
BQ2962 适用于 2 节、3 节和 4 节串联锂离子电池的过压保护
BQ77905 3 至 5 节串联锂离子和锂磷酸盐低功耗堆叠式电池保护器

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TLIN2029DRQ1
具有显性状态超时故障保护功能的本地互连网络 (LIN) 收发器
休眠模式：低电流消耗支持以下类型的唤醒事件：
LIN 总线
通过 EN 引脚进行的本地唤醒
上电和断电无干扰运行
保护特性：
VSUP 欠压保护
TXD 显性超时 (DTO) 保护
热关断保护
系统级未供电节点或接地断开失效防护。
采用 SOIC (8) 和无引线 VSON (8) 封装，提高了自动光学检测 (AOI) 能力