无锡新洁能NCE0110AS快充同步整流MOS管，大量供应

Description
The NCE0110AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS = 100V,ID =10A
RDS(ON) < 17mΩ @ VGS=10V (Typ:14mΩ)
● Special process technology for high ESD capability
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
Application
● DC/DC Primary Side Switch
● Telecom/Server
● Synchronous Rectification

采用的耐压原理和优化的设计结构,全新700～900V  SJ-MOS Ⅱ系列产品为系统应用提供充足的耐压余量，简化系统设计难度，提高系统可靠性，满足客户对高耐压、低导通电阻和率超结MOSFET的需求。

随着信息化时代的到来，手机等电子设备的普及程度随之加大，充电时间长次数多等问题困扰着人们。而随着生活节奏的加快，手机电池容量加大，消费者迫切需要一种快速充电方案，缓解充电的烦恼。从而催生了快速充电器的发展和普及。

实现快速充电必然需要加大充电功率。大功率意味着充电器体积的增加，作为移动电子设备配件，充电器体积做到小型化，方便随身携带，这对电源效率，温升提出了更高的要求，所以催生了同步整流的发展。目前代表性的快充解决方案以PI，Iwatt为主。均采用同步整流，以提高电源效率，降低温度。

采用新的Super Trench 工艺。SuperTrench MOS采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（ShieldGate Deep Trench）技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）,新款Super Trench MOS 软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰。新洁能针对OB，Iwtt一些非集成初级MOS方案，可提供TO-251.TO-252等小体积超结MOS。相对于VDMOS，具有更低的导通电阻，利于降低导通损耗，极低的栅极电荷，提供更快的开关速度，同规格下更小的封装体积，减小产品尺寸。 TO-251,TO-252封装下大可提供11A650V。普通VDMOS则较难做到如此小型封装。

深圳仓库大量供应