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晶闸管是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个:阳,阴和门;晶闸管工作条件为:加正向电压且门有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管的注意事项:
1、在检查大功率器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使可靠地导通;
2、要准确测量的关断增益,有测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据;
逆导晶闸管亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳与阴之间反向并联一只二管,使阳与阴的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,快速晶闸管。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只即可代替晶闸管和续流二管各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计;
逆导晶闸管的符号、等效电路,逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与普通晶闸管相同,而反向特性与硅整流管的正向特性相同(仅坐标位置不同)。