半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。
硅片清洗花篮及提把耐强酸，强碱，耐有机溶剂，质地柔软，不损伤硅片，不沾污硅片。专为半导体光伏光电等行业设计的，一体成型，无需担心漏液。主要用于浸泡、清洗带芯片硅片电池片的花篮。由于PFA的特点它能耐受清洗溶液的腐蚀性，同时金属元素空白值低，无溶出无析出，不会污染芯片晶圆等。
由于橡胶、玻璃、金属合金等材料在耐腐蚀方面存在缺陷，难以满足条件苛刻的温度、压力和化学介质共存的环境，由此造成的损失相当惊人。而PTFE材料以其的耐腐蚀性能，业已成为石油、化工、纺织等行业的主要耐腐蚀材料。其具体应用包括：输送腐蚀性气体的输送管、排气管、蒸汽管，轧钢机、高压油管，飞机液压系统和冷压系统的高中低压管道，精馏塔、热交换器，釜、塔、槽的衬里，阀门等化工设备。
随着材料应用技术的不断发展，PTFE材料的三大缺点：冷流性、难焊接性、难熔融加工性正在逐渐被克服，从而使它在光学、电子、医学、石油化工输油防渗等多种领域的应用前景更加广阔。
PTFE能承受除熔融碱金属、氟元素和强氟化介质以及300℃的氢氧化钠以外的所有强酸、强碱、强氧化剂、还原剂等的作用。它的耐化学腐蚀性能超过贵金属、玻璃、陶瓷、搪瓷和合金等, 即使原子能工业中的强腐蚀剂上氟化铀对它也不腐蚀。
对水及许多有机溶液的浸润性能都很差。具有的耐大气老化性和不燃性。长期暴露于大气中，性能仍保持不变。在正常条件下，聚四氟乙烯是完全不燃的。化学稳定性能优良。除元素氟和熔融状态的金属钠对其制品有一定腐蚀作用外，几乎所有强酸、强碱、强氧化剂和有机溶剂对它都不起作用，素有“塑料王”之称。