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直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。据统计，世界上硅单晶的产量中70％～80％是用直拉法生产的。目前晶体生长设备的现状\江南电力光伏科技有限江南电力光伏科技有限，引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种，具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，提拉式单晶炉技术参数1、电源电压：380VAC±5%2、电源频率：50HZ 3、电源相数：3相3线制4、变压器容量：190KVA5、加热器加热功率：160KW6、加热温度：1600℃7、加热器加热电压：60V8、冷炉极限真空度：＜a9、晶体直径：￠6〞～￠8〞10、熔料量 ：90Kg11、主炉室尺寸：φ900×1250mm上炉室尺寸：φ900×900mm下炉室尺寸：φ900×350mm12、翻板阀通径：φ280mm13、封头炉盖高度：410mm14、副炉室尺寸：φ280×250015、籽晶转速范围：1～40rpm16、籽晶拉速范围：0.2～8mm/min17、籽晶快速：≥350mm/min18、籽晶在炉内有效行程：3500mm19、籽晶在副室内有效行程：2100mm20、坩埚升速范围：0.02～1mm/min21、坩埚快速：≥100mm/min22、坩埚在炉内有效行程：400mm23、坩埚转速范围：1～30rpm24、两个电极孔孔距：480mm 25、耗水量：25m3/h26、主机占地面积：2500x2000mm27、主机高度：6800mm28、主机重量：约7500Kg

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直拉式单晶生长炉的制作方法、专利名称：直拉式单晶生长炉的制作方法、技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的单晶炉剖面示意图；图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为炉底护盘、12为输 入管、11为分布有出气孔11-1的环形气体分布器、13为排气口。直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入，并与炉内生成的 一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器 件上，从而影响了单晶炉的使用寿命。