虹口出售碳化硅肖特基二极管现货供应
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金属与 N 型 4H-SiC 半导体体内含有大量的导电载流子。金属与 4H-SiC 半导体材料的接触仅有原子大小的数量级间距时,4H-SiC 半导体的费米能级大于金属的费米能级。此时 N 型 4H-SiC 半导体内部的电子浓度大于金属内部的电子浓度,两者接触后,导电载流子会从 N 型 4H-SiC 半导体迁移到金属内部,从而使 4H-SiC 带正电荷,而金属带负电荷。电子从 4H-SiC 向金属迁移,在金属与 4H-SiC 半导体的界面处形成空间电荷区和自建电场,并且耗尽区只落在 N 型 4H-SiC 半导体一侧,在此范围内的电阻较大,一般称作“阻挡层”。自建电场方向由 N 型 4H-SiC 内部指向金属,因为热电子发射引起的自建场增大,导致载流子的扩散运动与反向的漂移运动达到一个静态平衡,在金属与4H-SiC 交界面处形成一个表面势垒,称作肖特基势垒。4H-SiC 肖特基二极管就是依据这种原理制成的。
碳化硅肖特基二极管的开启导通电压比硅快速恢复二极管较低,如果要降低VF值,需要减薄肖特基势垒的高度,但这会使器件反向偏压时的漏电流增大。碳化硅肖特基二极管的温度特性与硅快速恢复二极管不同,当温度升高时导通阻抗会增加,VF值也上升,这样器件发热不易发生热失控,更适合并联使用。
碳化硅(SiC)是一种的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的器件。