W25N01GVZEJG，WINBOND/华邦存储芯片

W988D6FBGX7I
Winbond 256Mb低功率SDRAM是一种低功率同步存储器，包含268,435,456个由Winbond工艺技术制造的存储单元。它的设计是比普通的SDRAM消耗更少的功率，低功率功能的必要条件，使用电池的应用。它可在两个组织提供： 2,097,152字×4银行×32位或4,194,304字×4银行×16位。该设备以完全同步的模式运行，输出数据被同步到系统时钟的正边缘，并能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。该设备支持特殊的低功耗功能，如部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）。低功耗SDRAM适用于2.5G / 3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机和其他需要大内存密度和低功耗的手持应用程序。设备从1.8V电源运行，支持1.8V LVCMOS总线接口。
WINBOND/华邦同系列其他型号：
W988D6FBGX6
W988D6FBGX6E
W988D6FBGX7E
W988D6FBGX7G
W988D6FBGX71
W988D2FBJX6
W988D2FBJX7E
W988D2FBJX7G
W988D2FBJX6E
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系。
W25Q128JVEIQ128M 位串行闪存，具有统一的 4KB 扇区和双/四通道 SPI
一般说明 W25Q128JV（128M 位）串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，关断时电流消耗低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q128FWSIG W25Q128JVFIQ
W25Q128FWSIQ W25Q128JVPIQ
W25Q128FWSQ W25Q128JVSAQ
W25Q128FWXR W25Q128JVSIM
W25Q128FWYIC W25Q128JVSIMTR
W25Q128JVBIQ W25Q128JVSIQ
W25Q128JVCIM W25Q128JVSIQTR
W25Q128JVEIQ W25Q128JVSQ
W25Q128JVEQ W25Q128JVSSIQ
W25Q128JVFIM W25Q128JWEIQ
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多信息咨询我们的销售人员。

W25Q16F系列：
W25Q16FWUXIE
W25Q16FWBYIG
W25Q16FWSSIQ
W25Q16FWUUIQ
W25Q16FWSNIQ
W25Q16FWZPIQ
W25Q16FWSNIG
W25Q16FWSSIG
W25Q16FWSVIQ
W25Q16FWBIYG
产品特性：
W25Q16FW（16M 位）串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。
该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电，电流消耗低至 4mA 有效，关断电流低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q16DVZPIG W25Q16FWSSIQ
W25Q16DVZPIQ W25Q16FWSVIQ
W25Q16DWBYIG W25Q16FWUUAQ
W25Q16DWSNAG W25Q16FWUUIQ
W25Q16DWSSIG W25Q16FWUXIE
W25Q16DWUUIG W25Q16FWZPIQ
W25Q16DWYS06 W25Q16JLSNIG
W25Q16DWZPIG W25Q16JVBYIQ
W25Q16FWBYIG W25Q16JVNIQ
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多信息咨询我们的销售人员。