芯片顶部烧结银10*10烧结银

大面积无压烧结银的主要成分：纳米银粉、有机载体等，可以栽无压的条件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面积的芯片。

大面积烧结银的烘烤曲线
1）从室温升温至 80℃，升温速率 3℃/min。在 80℃保温 40 分钟；
2）从 80℃升温至 130℃，升温速率 3℃/min。在 130℃保温 40 分钟；
3）从 130℃升温至 200℃，升温速率 5℃/min。在 200℃保温 120 分钟；
4）降温时间 60

目的是为你们的使用提供可能的建议。但不能取代基于你们本身的目的对该产品所做的操作性和适用性测试。由于我们无法预见各种
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