ESD5V5U5ULCE6327HTSA1，ESD保护器件

IRFR13N15DTRPBF产品特性：
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能，即英飞凌超级势垒二极管（单片集成肖特基二极
管）。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0504NSI
IRF1104PBF
IPD053N06N
IRFBC20PBF
IPB057N06N
IRLZ24NPBF
IRF100B202
IRF2804PBF
IPP040N06N
SPA08N80C3
IRL2505PBF
IRFR5305TRPBF
IRFR024NTRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR7843TRPBF
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

工业收发器
关键特性：
传输速率高达 2 Mbit/s
符合 ISO11898 标准
仅接收模式
支持故障条件
总线唤醒
符合 CAN FD 协议
核心优势：
低电流消耗
热保护
低功率模式
的 EMI 性能
待机/休眠模式
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRFS4615TRLPBF
IRF540NSTRRPBF
IRLR3705ZTRPBF
IRLZ24NSTRLPBF
IRFS3006TRL7PP
IPN60R360PFD7S
IRF2804STRL7PP
IRFHS8342TRPBF
BSS131H6327XTSA1
IPD60R400CEAUMA1
BSS139H6327XTSA1
BSS127H6327XTSA2
IPD350N06LGBTMA1
BSC028N06NSATMA1
IPT015N10N5ATMA1
欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN （氮化镓）晶体管技术，可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验，英飞凌完善了增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准，于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0805LSATMA1
IRFS7530TRLPBF
IRFS4115TRLPBF
IRFS7437TRLPBF
IRFS4321TRLPBF
IRF520NSTRLPBF
IRF3415STRLPBF
IRFS4010TRLPBF
IRLR3410TRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF
IRLTS2242TRPBF
IRFS7430TRL7PP
BSC0702LSATMA1
IRLHS2242TRPBF
IRFTS8342TRPBF
我司承诺所有产品均为原装，可提供专项发票。