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功率管发热
关于这个问题,也见到过有人在论坛发过贴。
功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。
要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗。
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。

频率与导通损耗也成正比,所以功率管发热时,要想想是不是频率选择的有点高。
想办法降低频率吧!不过要注意,当频率降低时,为了得到相同的负载能力,峰值电流必然要变大或者电感也变大,这都有可能导致电感进入饱和区域。

开关次数的影响:多数电源设有电容器输入型的整流回路,在通入电源时,会产生浪涌电流,导致开关接点疲劳,引发接触电阻增大及吸附等问题。理论上认为,在电源期望寿命期间,开关的通断次数约有10000次。

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