平顶山PRX平板可控硅R7200809XXOO逆变器

晶闸管通态电流上升率：元件通态电流上升率的临界重复值。其对应不重复测试值为重复值的以上，在使用过程中，元件导通期时候的电流上升率都不能超过其重复值；
晶闸管元件的选择：
正确地选择晶闸管、整流管等电力电子器件对整机设备的可靠性及降低设备成本具有重要意义。元件的选择要综合考虑其使用环境、冷却方式、线路型式、负载性质等因素，在所选元件各参数具有裕量的条件下兼顾经济性。由于电力电子器件的应用领域十分广泛，具体应用形式多种多样。

晶闸管整流电路器件选择：工频整流是晶闸管元件常用的领域之一。元件选用主要考虑其额定电压和额定电流。
1、晶闸管器件的正反向峰值电压：应为元件实际承受大峰值电压UM的2-，即(2-3)。
2、晶闸管器件的额定通态电流：晶闸管的IT值指的是工频正弦半波平均值，为使元件在工作过程中不因过热损坏，流经元件的实际有效值应在乘以安全系数1.5-2后才能等于1.57IT。假设整流电路负载平均电流为Id，流经每个器件的电流有效值为KId。

晶闸管的工作原理：
1、晶闸管具有单向导电性：正向导通条件：A、K间加正向电压，G、K间加触发信号；
2、晶闸管一旦导通，控制失去作用：若使其关断，降低UAK或加大回路电阻，把阳电流减小到维持电流以下；
晶闸管的结构：晶闸管由四层半导体材料构成，它有三个：阳，阴和门。晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

晶闸管的使用注意事项：选用晶闸管的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量；
1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值；
2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换；
3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况；
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且所规定的冷却条件。为散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热；
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置；
6、要防止可控硅控制的正向过载和反向击穿。

晶闸管的伏安特性
晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于第三象限。
(1) 反向特性
当门极G开路,阳极加上反向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,同时J3结也击穿,电流迅速增加,如图2的特性曲线OR段开始弯曲,弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。此后,晶闸管会发生性反向击穿。
(2) 正向特性
当门极G开路,阳极A加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图2的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进入N1区,空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿后，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍有增加,电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图2中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，晶闸管便进入正向导电状态——通态,此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，如图2的BC段。
(3) 触发导通
在门极G上加入正向电压时(如图5所示),因J3正偏,P2区的空穴进入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在晶闸管的内部正反馈作用(如图2)的基础上,加上IGT的作用,使晶闸管提前导通,导致图2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

可控硅与晶闸管有什么区别？
晶闸管(THYRISTOR)又名可控硅，属于功率器件领域，是一种功率半导体开关元件，可控硅是其简称，按其工作特性，可控硅可分为单向可控硅(SCR)、双向可控硅(TRIAC)。可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G。可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。单向可控硅有其特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列(电极引脚向下，面对有字符的一面时)。加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。电子制作中常用可控硅，单向的有MCR-100等，双向的有TLC336等双向可控硅按象限来分，又分为四象三端双向可控硅、三象限双向可控硅;按封装分：分为一般半塑封装，外绝缘式全塑封装;按触发电流来分：分为微触型、高灵敏度型、标准触发型;按电压分：常规电压品种、高压品种。可控硅产品由于它在电路应用中的、控制特性好、寿命长、体积小、功能强等优点，自上个世纪六十长代以来，获得了迅猛发展，并已形成了一门立的学科。“晶闸管交流技术”。可控硅发展到今天，在工艺上已经非常成熟，品质更好，成品率大幅提高，并向高压大电流发展。
可控硅在应用电路中的作用体现在：可控整流：如同二极管整流一样，将交流整流为直流，并且在交流电压不变的情况下，有效地控制直流输出电压的大小即可控整流，实现交流→可变直流之转变;无触点功率静态开关(固态开关)：
作为功率开关元件，可控硅可以代替接触器、继电器用于开关频率很高的场合。因此可控硅元件被广泛应用于各种电子设备和电子产品的电路中，多作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等用途。家用电器中的调光灯、调速风扇、冷暖空调器、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、声控电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、以及玩具装置、电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等工业控制领域等都大量使用了可控硅器件。在这些应用电路中，可控硅元件多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

可控硅技术是具有半个多世纪的技术，在可控硅调光技术之后，照明行业有采用0/1-10V模拟调光、DMX512与DALI等数字调光协议技术。但是，可控硅调光技术却有着一定的的优势，一个是历史传承原因，另外一个无需信号线，不用改变原有线路的简便性，成本低、施工方便比较受工程方欢迎，所以可控硅调光电源还是占据调光电源的市场份额。大家都说可控硅调光要做匹配测试到底在匹配什么?一般可控硅产品仍具有兼容性等问题尽管多个跨国大LED驱动IC的厂开发出了可以兼容现有可控硅调光器的IC芯片来，一般电源公司的可控硅电源都是利用这种通用IC方案实现的，针对市面上有几百上千种不同规格的可控硅和晶体管调光开关，实际上所开发的IC根本不可能兼容大多数的可控硅开关，兼容性比较低，兼容一直困扰整个行业。经常会听到工程客户说找了很多厂家的电源，都没有办法兼容到光控制系统。除此之外大多数可控硅电源还有许多较常见的问题像调光效果不好、调光范围窄、容易出现闪烁等。
兼容性，是调光器与调光电源的匹配说到可控硅调光的兼容性问题，其中一个常见问题在于通常切相调光器在调光时所产生的和小触发角存在着很大的不一致，导致LED灯具调光性能的差异化。不不同的触发角的变动范围都非常大，如此一来，其导通时间和施加给负载的功率也会出现变化。相切调光器的导通周期都与LED的工作电流直接相关，并因此而影响着灯具的发光量。假设LED驱动电源具有固定的调光曲线，针对不同的调光器，该驱动电源电路的性能表现也会不一样。此外，调光曲线上的任何非线性都会加剧调光器之间的性能差异。

平板可控硅
SEMIKRON赛米控平板可控硅
IR/Vishay平板可控硅
eupec/Iinfineon英飞凌平板可控硅
PROTON普拉动平板平板可控硅
PRX平板可控硅
WESTCODE西码平板可控硅
DYNEX丹尼克斯平板可控硅
POSEICO平板可控硅
ABB平板可控硅
Siemens西门子平板可控硅
三菱平板可控硅
东芝平板可控硅
三社平板可控硅
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。

名称：平板式可控硅的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种平板式可控硅。
背景技术：
可控硅又称晶间管，晶间管整流器具有耐压高、容量大、、控制特性好、体积小、寿命长等诸多优点，发展迅猛。在世纪应用中，大功率晶间管整流装置一般采用平板式可控硅，其特点是可作双面冷却。目前大功率平板式可控硅的封装普遍采用陶瓷外壳的封装结构形式，虽然陶瓷材料能够绝缘、耐热，但因为陶瓷工艺易碎、杂质难控制等特点，其加工要求非常高，且封装时需要经过焊接在内的多道工序，工艺复杂，成本高，封装后良率偏低，返工需破坏性地拆封。
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