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IGBT模块AGDR-71C/FS450R12KE3

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IGBT模块(绝缘栅双极晶体管模块)是一种半导体器件,它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高输入阻抗和双极晶体管(BJT)的高载流能力,从而提供了率和快速开关的特点。这种模块广泛应用于中到高电压和中到大电流的场合,例如变频器、电动汽车的动力系统、可再生能源系统和电力传输设备。

IGBT模块的核心部分是IGBT芯片,它由一个n型硅片组成,其中有一个p型区和n型区交替形成的pnp和npn双极晶体管结构。IGBT的栅极被设计得类似于MOSFET,可以通过小的电压变化来控制大量的电流,这使得IGBT在开关操作时具有较低的能量损耗。

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