南汇出售氮化镓二极管多少钱一个

1999年初，Nichia公司开始商业化生产用InGaN制作的紫色激光器，其输出功率为5mw，发射波长为400nm，工作寿命超过10000小时。近他们又开发出了室温下连续工作功率达30mw的激光器，波长为405nm。DVD的光存储密度与半导体激光器的波长平方成反比，如果DVD使用GaN基短波长半导体激光器，则其光存储密度将比当前使用GaAs基半导体激光器的同类产品提高4－5倍，因此，宽禁带GaN半导体技术还将成为光存储和处理的主流技术。

氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的导热性、良好的化学稳定性、强的抗辐射性、高的内、外量子效率、高的发光效率、高的强度和硬度。其耐磨性接近金刚石)。这种特性和特性可以制成率的半导体发光器件--发光二极管(即发光二极管)和激光器(简称LD)。并可扩展到白光LED和蓝光LD。耐磨性接近金刚石的特性将有助于开启触摸屏、太空载具以及射频（RF）MEMS等需要高速、高振动技术的新应用。

氮化镓GaN材料的研究与应用是当前全球半导体研究的和热点。它是一种用于开发微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。继代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。具有宽的直接带隙、强的原子键、高的导热率、良好的化学稳定性（几乎不被任何酸腐蚀）和强的抗辐射性能。应用于光电子、高温大功率器件以及高频微波器件中的应用具有广阔的前景。