IPB60R070CFD7ATMA1,英飞凌场效应管原装供货
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面议
IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻(RDS(开启)*一)
输出电容中的能量存储非常低(E开放源码软件) @400V
低栅极电荷(Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点:
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPD90R1K2C3ATMA2
IPD95R1K2P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R450P7ATMA1
IPD95R750P7ATMA1
IPI051N15N5AKSA1
IPI60R125CPXKSA1
IPI60R190C6XKSA1
IPI60R199CPXKSA1
IPI60R280C6XKSA1
IPI65R600C6XKSA1
IPI70R950CEXKSA1
IPL60R065P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1
IPL60R104C7AUMA1
IPL60R125P7AUMA1
IPL60R180P6AUMA1
IPL60R185C7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1
IPL60R199CPAUMA1
IPL60R210P6AUMA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货,欢迎商务联系合作!
SPB80P06P-G描述:
P 沟道增强模式 场效应晶体管 (FET), -60V, D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求,例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要:
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准,无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
ISC0806NLSATMA1
ISZ0501NLSATMA1
ISZ0602NLSATMA1
ISZ0703NLSATMA1
ISZ0803NLSATMA1
ISZ0804NLSATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SPA07N60C3XKSA1
SPA08N50C3XKAS1
SPA08N80C3XKSA1
SPA11N65C3XKSA1
SPA11N80C3XKSA2
SPA17N80C3XKSA1
SPA20N60C3XKSA1
SPA20N65C3XKSA1
SPA21N50C3XKSA1
SPB03N60C3E3045
SPB18P06PGATMA1
SPB21N50C3ATMA1
SPB80P06PGATMA1
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性:
极低的RDS(开启)
出色的栅极电荷 x RDS(开启)(FOM)
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比,可靠性更高
无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准
IRF150P220AKMA1
IRF150P220XKMA1
IRF150P221AKMA1
IRF2807ZSTRLPBF
IRF2907ZSTRLPBF
IRF3205ZSTRLPBF
IRF3709ZSTRRPBF
IRF3710ZSTRLPBF
IRF3805STRL-7PP
IRF40SC240ARMA1
IRF6726MTRPBFTR
IRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRRPBF
IRF9540NSTRLPBF
IRF9540NSTRRPBF
IRF9Z24NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF
IRFI1010NPBF-IR
IRFI7536GPBF-IR
IRFR1010ZTRLPBF
常用型号大量原装现货,更多型号请咨询,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!