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140DDI35300 内置多层缓存 CPU 从不直接访问 RAM。现代 CPU 有一层或多层缓存。CPU 执行计算的能力比 RAM 向 CPU 提供数据的能力要快得多。其原因超出了本文的范围，但我将在下一篇文章中进一步探讨。 高速缓存比系统 RAM 更快，并且更接近 CPU，因为它位于处理器芯片上。高速缓存提供数据存储和指令，以防止 CPU 等待从 RAM 中检索数据。当 CPU 需要数据时——程序指令也被认为是数据——缓存会判断数据是否已经驻留并将其提供给 CPU。 如果请求的数据不在缓存中，它会从 RAM 中检索并使用预测算法将更多数据从 RAM 移动到缓存中。缓存控制器分析请求的数据并尝试预测需要从 RAM 中获取哪些额外数据。它将预期的数据加载到缓存中。通过将一些数据保存在比 RAM 更快的高速缓存中更靠近 CPU，CPU 可以保持忙碌状态，而不会浪费等待数据的周期。 我们的简单 CPU 具有三级缓存。第 2 级和第 3 级旨在预测接下来需要哪些数据和程序指令，将数据从 RAM 中移出，并将其移至更靠近 CPU 的位置，以便在需要时准备就绪。这些缓存大小通常在 1 MB 到 32 MB 之间，具体取决于处理器的速度和预期用途。

140CPU43412 CPU时钟和控制单元 140CPU43412包括所有 CPU 组件都同步才能顺利协同工作。控制单元以由时钟速度确定的速率执行此功能，并负责通过使用遍及整个 CPU 的定时信号来指导其他单元的操作。 随机存取存储器 (RAM) 尽管 RAM 或主存储器在此图和下图中显示，但它并不是 CPU 的真正组成部分。它的功能是存储程序和数据，以便在 CPU 需要它们时可以使用它们。

直流屏充电模块系统特点：
1、三相三线电压输入，三相电流平衡，具有交流过欠压保护功能；
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3、采用软开关技术，、电磁兼容性好，模块体积小、重量轻、模块性能高；
4、模块带电热插拔技术、维护方便快捷；
5、采用无级限流设计方式，电池充电限流精度高；
6、具有过压、限流、短路、并联、过温、过流等自动保护功能、告警措施；
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8、采用智能温控风冷控制降温，具有噪音小，可靠性高。

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TRICONEX MA2211-100 I/O 模块是一种可扩展的模块化解决方案，可集成到 Premio 的工业计算机中，并通过即插即用的可扩展性提供增强的可靠性。这些附加模块有助于解决在崎岖边缘出现的设计限制和兼容性问题。TRICONEX MA2211-100 I/O 模块提供定制以满足特定 I/O 要求，从而在严苛的边缘部署中实现稳健的 I/O 连接。 采用专有的 PCIe 通信标准设计构建，它创建了一个简单的,但多功能的解决方案可以在兼容的 Premio 系统之间互换，以实现完全优化的配置。EDGEBoost 模块直接安装到各自的 EDGEBoost 支架中，为用户提供了一种可扩展的方式来扩展他们的 I/O 需求，而无需进一步投资来为更多物联网设备提供动力。

TRICONEX 的 MA2211-100 I/O 主要特性 通过 PCIe 协议的互操作性 MA2211-100 I/O 通过 Premio 的专有引脚设计进行设计，可轻松集成到兼容的 Premio 系统中，并且可以互换以获得更优化的配置。通过标准化的PCIe 协议，EDGEboost I/O 模块直接插入兼容 Premio 产品中的 EDGEboost 支架，允许中央系统与其连接的设备之间进行无缝通信。EDGEBoost I/O 模块能够支持新的变革性技术，例如 M.2 NVMe 存储和 M.2 AI 加速器，以实现实时推理功能。