COB胶深圳厂家环氧树脂材料LED扩散剂

联系人鲍红美固化时间24小时

使用方法
1、需密封结合面应洁净、干燥、无油污，有条件时可采用丙酮或汽油除油。

2、用刮刀或其它适用的工具将液态密封垫均匀地涂布在已除油需密封的结合面上，立即组合紧固。其涂布量以组合后液态密封垫略微挤出一胶圈为宜，用布擦去挤出的液态密封垫。如果涂布在螺钉上起密封作用的话，可采用画笔涂布，一般涂胶量3-4扣为宜。

3、其在室温下很难干透，但是可以在室温涂布，在部件工作时通过高温固化。试压试验可以在23±2℃×24h后进行。

4、拆卸时，在卸除螺栓后，用软木锤敲打制件的结合面，使之振松即可十分轻松地取下，结合面上已固化的液态密封垫可用铜刮刀或铜刷子等其它适当硬度的工具将它刮净。

四、使用说明                                           

 产品工艺性能较好，可直接施工，施工方法可采用毛笔涂抹、滚涂、点胶机自动挤出或丝网印刷。

 对所有接触表面用溶剂清洁后再涂抹硅脂，填满间隙的前提下越薄越好，多涂并无益处，反而会影响热传导

效率。

 用干净的工具如剃刀片，信用卡边或干净的小刀挑起少许导热硅脂转移到施工部位，用刮板刮平，再用无绒布将施工部

位周边多余的导热硅脂擦干净。

五、包装                                             

 塑料筒装，净容量为300ML、500ML、1L、5L；

 金属软管包装, 净容量为50ML、100ML 300ML 2600ML 10KG。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中核心的工艺。
以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。
光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以提高极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及的EUV(<13.5nm)线水平。