INA2181A4QDGSRQ1，TI德州仪器现货供应商

TI德州仪器电源管理-MOSFET管
N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
CSD95420RCB:
50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power
51-CSD95372AQ5M:
具有温度感应功能的 60A 同步降压 NexFET™ 功率级
部分同类产品：
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CSD96497Q5MC - 采用 DualCool 封装的 65A 同步降压 NexFET 智能功率级
CSD95485RWJ - 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级
CSD86356Q5D - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块
CSD86336Q3D - 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

INA214BQDCKRQ1
AEC-Q100、26V、双向、电流感应放大器INA21x-Q1 系列器件是电压输出、电流分流监控器（也称为电流感应放大器），可在立于电源电压的 –0.3V 至 26V 范围内的共模电压中感应分流器上的压降。提供了五种固定增益：50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。该系列器件通常用于过流检测、电压反馈控制环路或用作功率监控器。零漂移架构的低偏移使得该器件能够在分流器上的大压降低至 10mV（满量程）的情况下进行电流感应。
部分型号：
TLV379IDBVR TLV75512PDQNR
TLV431BQDCKR TLV9354IDR
TLV62065DSGT TMP100AQDBVRQ1
TLV62568PDDCT TMP6131ELPGMQ1
TLV70018QDDCRQ1 TMS320C5535AZAYA10
TLV70233PDBVR TMS320F28035PNT
TLV73312PQDRVRQ1 TPD2E009DRTR
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TPA6211A1TDGNRQ1
汽车类 3.1W 单声道模拟输入 AB 类音频放大器
TPA6211A1-Q1 的特性
符合汽车类 应用要求
器件 HBM ESD 分类等级 3A
器件 CDM ESD 分类等级 C6
在THD = 10%（典型值）时可利用 5V 电源向 3Ω 负载输送 3.1W 功率
低电源电流：5V 时的典型值为 4mA
关断电流：0.01µA（典型值）
快速启动，具有极小杂音
其他部分型号：
LMR33630ARNXT LMV831MGE/ NOPB
LMR33630BRNXT LMV831MGPB
LMR34206SC5QRNXRQ1 LOG112AID
LMR36015SBRNXR LP38692MPX-3.3PB
LMR36015SFBRNXR LP8866SQRHBRQ1
LMR36503R5RPER MSP430F2132IRHBR
LMR36506RF3RPER MSP430F5327IPNR
LMR51450SDRRR MSP430F5519IPNR
LMV796QMFXPB MSP430FR6047IPZR
常用型号大量现货，只做原装，欢迎合作！