TPS2561ADRCR，TI原装集成电路

TPA5052RSAR
具有硬件控制的立体声数字音频延迟处理器
TPA5052 的特性
Digital Audio Format: 16–24–bit I2S
Single Serial Input Port
Delay Time: 170 ms/ch at fs = 48 kHz
Delay Resolution: 256 samples
Delay Memory Cleared on Power–Up or After Delay Changes
Eliminates Erroneous Data From Being Output
TI德州仪器其他部分型号：
TPS79318DBVRG4Q1 TPS6285020MQDRLRQ1
SN74HCT165QPWRQ1 OPA4171AQPWRQ1
CDCE813QPWRQ1 LM3481QMMX/NOPB
LMK61A2-100M00SIAR TPS72501DCQ
TLV9154QPWRQ1 TPS78410QWDRBRQ1
OPA1642AIDGKT SN6507DGQR
TS3A225ERTER INA213BIDCKT
DRV5032DUDMRT LM4040C30QDBZR
INA250A4PW TLV2170IDR
ISO15MDW UCC27211DR

SN74HC595PWR
具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器
TI德州仪器逻辑 IC产品其他部分型号：
SN74HCT541DWR SN74HCS574QPWRQ1
SN74HCS264QDRQ1 SN74HC138DR
SN74HC365DR SN74HC21DR
SN74HCS08QDRQ1 SN74HC00PWR
SN74HCT08DR SN74HC08QDRQ1
SN74HC14DBR SN74HCT245DWR
SN74HCT00DR SN74HCS08PWR
SN74HCS08QDYYRQ1 SN74HC00DR
SN74HC164DR SN74HC74DR
SN74HC573NSR SN74HCS7266PWR
SN74HCS09QDRQ1 SN74HC04PWR
SN74HC14DR SN74HC393NSR
更多产品型号请联系咨询

CC2640F128RGZR蓝牙微控制器MCU
具有 128kB 闪存的 SimpleLink™ 32 位 Arm Cortex-M3 低功耗 Bluetooth® 无线 MCU
CC2640 的特性
强大的 ARM Cortex-M3
EEMBC CoreMark评分：142
高达 48MHz 的时钟速度
128KB 系统内可编程闪存
ROM 中的 TI-RTOS 和 蓝牙软件
高达 28KB 系统 SRAM，其中 20KB 为低泄漏静态随机存取存储器 (SRAM)
8KB SRAM，适用于缓存或系统 RAM 使用
2 引脚 cJTAG 和 JTAG 调试
支持无线升级 (OTA)
TI德州仪器其他部分蓝牙产品型号：
CC2640F128RGZR CC2640F128RHBR
CC2650F128RHBR CC2650F128RGZR
CC2650F128RSMR CC2630F128RGZR
CC2652R1FRGZR CC2640R2FRSMR
CC2650F128RHBT CC2630F128RHBR
CC2640R2FYFVT CC2640F128RSMR
CC2640R2FRGZR CC2640R2LRGZR
CC2630F128RGZT CC2640R2FTRGZRQ1

TI德州仪器电池管理 IC电池保护器
部分型号主要参数特性：
BQ294534 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的 4.55V 过压保护 (OVP) 器件
BQ77207 3 系列至 7 系列锂离子电池、内部延迟计时器、电压和温度保护器
BQ2982 禁用 0V 充电功能且适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ77216 具有内部延迟计时器、适用于 3 节至 16 节串联锂离子电池的电压和温度保护器
BQ77915 具有电池自主平衡功能的 3 节至 5 节串联可堆叠低功耗初级保护器
BQ294506 适用于 2 到 3 节锂离子电池、具有 4.38V OVP 的过压保护器件
BQ2980 适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ294533 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的过压保护
BQ77904 3-4S 低功耗保护器
BQ2962 适用于 2 节、3 节和 4 节串联锂离子电池的过压保护
BQ77905 3 至 5 节串联锂离子和锂磷酸盐低功耗堆叠式电池保护器

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A
CSD17318Q2 CSD18514Q5A
CSD22205L CSD95490Q5MC
CSD22206W CSD95491Q5MC
CSD88584Q5DC CSD13380F3
CSD17585F5 CSD13385F5

TLIN2029DRQ1
具有显性状态超时故障保护功能的本地互连网络 (LIN) 收发器
休眠模式：低电流消耗支持以下类型的唤醒事件：
LIN 总线
通过 EN 引脚进行的本地唤醒
上电和断电无干扰运行
保护特性：
VSUP 欠压保护
TXD 显性超时 (DTO) 保护
热关断保护
系统级未供电节点或接地断开失效防护。
采用 SOIC (8) 和无引线 VSON (8) 封装，提高了自动光学检测 (AOI) 能力