有压烧结银是一种常见的半导体封装材料，压烧结银的工艺非常复杂，需要考虑到不同的因素，如热量、熔融银的温度、模具的造型等。这种工艺需要熟练的技艺，可以制作出精美的饰品。
基于以上两款焊料的不足，烧结银产品应运而生，烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题，具有导热系数高，剪切强度大，生产，无铅化、免清洗等特点，是第三代半导体封装的理想焊接材料。
烧结银现在是非常流行的一种封装方式，商业上也是广泛应用到了封装方面，特别是一些车规的高功率的封装方面。当然善仁新材的烧结技术是有比较好的优势，比如导电和导热性能非常好。
一个界面涂布烧结银时，涂布的要均匀；另外一个界面放烧结银上时，建议加一点压力到上界面压一下； 预烘阶段：150度20-30分钟，界面是铜的基底建议氮气保护（金或者银除外）
预压阶段：150度加压0.5-1MPa，时间为：1-3秒； 本压阶段：220-280度加压10-30MPa，时间2-6分钟；烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高和压力加大，烧结体密度和硬度逐渐增大，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，增大的趋势更加明显；